uv光催化氧化廢氣凈化設(shè)備采用高強度納米紫外線破壞、分解大分子鏈為小分子鏈，再利用臭氧和羥基自由基氧化、催化劑進行催化氧化，使有機物變?yōu)樗投趸?，以達到去除有機物的目的。

UV光解氧催化凈化無需添加任何物質(zhì)：只需要設(shè)置相應的排風管道和排風動力，使氣體通過本設(shè)備進行脫臭分解凈化，無需添加任何物質(zhì)參與化學反應?？蛇m應高濃度，大氣量，不同有機化學氣體物質(zhì)的凈化處理，可每天可長時間連續(xù)工作，運行穩(wěn)定可靠。

由于半導體的光吸收閾值與帶隙具有式K=1240/Eg(eV)的關(guān)系,因此常用的寬帶隙半導體的吸收波長閾值大都在紫外區(qū)域。當光子能量高于半導體吸收閾值的光照射半導體時,半導體的價帶電子發(fā)生帶間躍遷,即從價帶躍遷到導帶,從而產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)。此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子,而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性,能將絕大多數(shù)的有機物氧化至產(chǎn)物CO2和H2O,甚至對一些無機物也能   分解。

uv光催化氧化廢氣凈化設(shè)備UV光催化氧化設(shè)備利用高能高臭氧UV紫外線光束分解空氣中的氧分子產(chǎn)生游離氧，即活性氧，因游離氧所攜正負電子不平衡所以需與氧分子結(jié)合，進而產(chǎn)生臭氧。lUV＋O2→O-+O＊（活性氧）O+O2→O3（臭氧），臭氧對有機物具有*的氧化作用，對工業(yè)廢氣及其它刺激性異味有好的清除效果。

工業(yè)廢氣利用排風設(shè)備輸入到UV光催化氧化除臭設(shè)備后，凈化設(shè)備運用高能UV紫外線光束及臭氧對工業(yè)廢氣進行協(xié)同分解氧化反應，使工業(yè)廢氣降解轉(zhuǎn)化成低分子化合物、水和二氧化碳，再通過排風管道排出。